Карбид кремния монокристаллический SiC,подложки для оптоэлектроники.
Параметр
Значение
Политип
4Н
Диаметр, мм
50.8, 76.2, 100
± 0.25
Толщина, мм
0.3-0.45 ± 0.03
Легирующая примесь n-тип: азот
Плотность микропор, см-2
< 0.2
Ориентация пластины, ± °
4 ± 0.5 от оси (0001)
Обработка поверхности Si
epi-ready
Длина базового среза, мм
22-32.5 ± 2
Ориентация базового среза, ± °
± 5
Длина вспомогательного среза, мм
11 ± 2
Ориентация вспомогательного среза, ± °
Si-сторона: 90±5 по часовой стрелке от базового среза
Удельное сопротивление, Ом *см
≤ 0.03
Дата последнего изменения: 06.09.2018
Дата размещения объявления: 06.09.2018
Показать все объявления от Парсек оптикс
Название фирмы: Парсек оптикс
Контактное лицо: Глеб Борисович
E-Mail: Отправить письмо на E-Mail автора объявления
Телефоны фирмы: 911 2706777
Адрес продавца:
Спб
Сайт: http://parsek.xyz
Адрес товара/услуги: Спб
Раздел ТНВЭД:
Код ТНВЭД: 2849200000 | Другие объявления в этом разделе
|
|
|
|
